16 07 2008

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10 07 2008

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RAM dinâmica

6 07 2008

Semelhante a um microprocessador, um chip de memória é um circuito integrado (CI), feito de milhões de transistores e capacitores. Na forma mais comum de memória de computador, a memória de acesso aleatório dinâmico (DRAM), um transistor e um capacitor são unidos para criar uma célula de memória, que representa um único bit de dados. O capacitor mantém o bit de informação: um 0 ou um 1 (veja Como funcionam os bits e os bytes para mais informações sobre bits). O transistor age como uma chave que permite ao circuito de controle no chip de memória ler o capacitor ou mudar seu estado.

Um capacitor é como um pequeno balde capaz de armazenar elétrons. Para armazenar um 1 na célula de memória, o balde é preenchido com elétrons. Para armazenar um 0, ele é esvaziado. O problema com o balde do capacitor é que ele tem um vazamento. Em questão de poucos milésimos de segundos, um balde cheio fica vazio. Portanto, para a memória dinâmica funcionar, a CPU ou o controlador de memória tem de carregar todos os capacitores mantendo um 1 antes que eles descarreguem. Para isto, o controlador de memória lê a memória e então grava nela de volta. Esta operação de atualização (mais conhecida como refrescamento) acontece automaticamente, milhares de vezes por segundo.

O capacitor em uma célula de memória DRAM é como um balde furado.
Ele precisa ser refrescado periodicamente ou descarregará para 0

O nome DRAM vem desta operação de refrescamento. A memória DRAM tem de ser refrescada de forma dinâmica, constantemente, ou perde o que está guardando. O aspecto negativo de todo esse refrescamento é que leva tempo e deixa a memória lenta.

As células de memória são gravadas em uma pastilha de silício em uma série de colunas (bitlines) e linhas (wordlines). O cruzamento de um bitline e um wordline constitui o endereço da célula de memória.

 

Nesta figura, as células vermelhas representam os 1s e as células brancas representam os 0s.
Na animação, uma coluna é selecionada e então as linhas são carregadas para gravar os dados na coluna específica.

A memória DRAM funciona enviando uma carga através da coluna apropriada (CAS) para ativar o transistor de cada bit na coluna. Ao gravar, as linhas contêm o estado que o capacitor deve assumir. Ao ler, um amplificador de sinal, determina o nível de carga no capacitor. Se for maior que 50%, ele o lê como um 1, caso contrário, ele o lê como um 0. Um contador guarda a seqüência de refrescamento baseado na ordem na qual as linhas foram acessadas. A duração de tempo necessária para fazer tudo isso é tão curta que é expressada em nanosegundos (bilionésimos de um segundo). Um chip de memória de 70 ns leva 70 nanosegundos para ler e recarregar completamente cada célula.

As células de memória sozinhas seriam inúteis se não houvesse alguma maneira de obter e inserir informações nelas. As células de memória têm uma estrutura inteira de apoio composto por outros circuitos especializados. Esses circuitos realizam funções como:

  • identificar cada linha e coluna (selecionar o endereço da linha e selecionar o endereço da coluna);
  • manter atualizada a seqüência de refrescamento (contador);
  • ler e rearmazenar o sinal de uma célula (amplificador de sinal);
  • dizer a uma célula se deve levar uma carga ou não (habilitador de gravação);

Outras funções do controlador de memória abrangem uma série de tarefas como identificação do tipo, velocidade e quantidade de memória e a verificação de erros.

Semelhante a um microprocessador, um chip de memória é um circuito integrado (CI), feito de milhões de transistores e capacitores. Na forma mais comum de memória de computador, a memória de acesso aleatório dinâmico (DRAM), um transistor e um capacitor são unidos para criar uma célula de memória, que representa um único bit de dados. O capacitor mantém o bit de informação: um 0 ou um 1 (veja Como funcionam os bits e os bytes para mais informações sobre bits). O transistor age como uma chave que permite ao circuito de controle no chip de memória ler o capacitor ou mudar seu estado.

Um capacitor é como um pequeno balde capaz de armazenar elétrons. Para armazenar um 1 na célula de memória, o balde é preenchido com elétrons. Para armazenar um 0, ele é esvaziado. O problema com o balde do capacitor é que ele tem um vazamento. Em questão de poucos milésimos de segundos, um balde cheio fica vazio. Portanto, para a memória dinâmica funcionar, a CPU ou o controlador de memória tem de carregar todos os capacitores mantendo um 1 antes que eles descarreguem. Para isto, o controlador de memória lê a memória e então grava nela de volta. Esta operação de atualização (mais conhecida como refrescamento) acontece automaticamente, milhares de vezes por segundo.

O capacitor em uma célula de memória DRAM é como um balde furado.
Ele precisa ser refrescado periodicamente ou descarregará para 0

O nome DRAM vem desta operação de refrescamento. A memória DRAM tem de ser refrescada de forma dinâmica, constantemente, ou perde o que está guardando. O aspecto negativo de todo esse refrescamento é que leva tempo e deixa a memória lenta.

As células de memória são gravadas em uma pastilha de silício em uma série de colunas (bitlines) e linhas (wordlines). O cruzamento de um bitline e um wordline constitui o endereço da célula de memória.

 

Nesta figura, as células vermelhas representam os 1s e as células brancas representam os 0s.
Na animação, uma coluna é selecionada e então as linhas são carregadas para gravar os dados na coluna específica.

A memória DRAM funciona enviando uma carga através da coluna apropriada (CAS) para ativar o transistor de cada bit na coluna. Ao gravar, as linhas contêm o estado que o capacitor deve assumir. Ao ler, um amplificador de sinal, determina o nível de carga no capacitor. Se for maior que 50%, ele o lê como um 1, caso contrário, ele o lê como um 0. Um contador guarda a seqüência de refrescamento baseado na ordem na qual as linhas foram acessadas. A duração de tempo necessária para fazer tudo isso é tão curta que é expressada em nanosegundos (bilionésimos de um segundo). Um chip de memória de 70 ns leva 70 nanosegundos para ler e recarregar completamente cada célula.

As células de memória sozinhas seriam inúteis se não houvesse alguma maneira de obter e inserir informações nelas. As células de memória têm uma estrutura inteira de apoio composto por outros circuitos especializados. Esses circuitos realizam funções como:

  • identificar cada linha e coluna (selecionar o endereço da linha e selecionar o endereço da coluna);
  • manter atualizada a seqüência de refrescamento (contador);
  • ler e rearmazenar o sinal de uma célula (amplificador de sinal);
  • dizer a uma célula se deve levar uma carga ou não (habilitador de gravação);

Outras funções do controlador de memória abrangem uma série de tarefas como identificação do tipo, velocidade e quantidade de memória e a verificação de erros.

Semelhante a um microprocessador, um chip de memória é um circuito integrado (CI), feito de milhões de transistores e capacitores. Na forma mais comum de memória de computador, a memória de acesso aleatório dinâmico (DRAM), um transistor e um capacitor são unidos para criar uma célula de memória, que representa um único bit de dados. O capacitor mantém o bit de informação: um 0 ou um 1 (veja Como funcionam os bits e os bytes para mais informações sobre bits). O transistor age como uma chave que permite ao circuito de controle no chip de memória ler o capacitor ou mudar seu estado.

Um capacitor é como um pequeno balde capaz de armazenar elétrons. Para armazenar um 1 na célula de memória, o balde é preenchido com elétrons. Para armazenar um 0, ele é esvaziado. O problema com o balde do capacitor é que ele tem um vazamento. Em questão de poucos milésimos de segundos, um balde cheio fica vazio. Portanto, para a memória dinâmica funcionar, a CPU ou o controlador de memória tem de carregar todos os capacitores mantendo um 1 antes que eles descarreguem. Para isto, o controlador de memória lê a memória e então grava nela de volta. Esta operação de atualização (mais conhecida como refrescamento) acontece automaticamente, milhares de vezes por segundo.

O capacitor em uma célula de memória DRAM é como um balde furado.
Ele precisa ser refrescado periodicamente ou descarregará para 0

O nome DRAM vem desta operação de refrescamento. A memória DRAM tem de ser refrescada de forma dinâmica, constantemente, ou perde o que está guardando. O aspecto negativo de todo esse refrescamento é que leva tempo e deixa a memória lenta.

As células de memória são gravadas em uma pastilha de silício em uma série de colunas (bitlines) e linhas (wordlines). O cruzamento de um bitline e um wordline constitui o endereço da célula de memória.

 

Nesta figura, as células vermelhas representam os 1s e as células brancas representam os 0s.
Na animação, uma coluna é selecionada e então as linhas são carregadas para gravar os dados na coluna específica.

A memória DRAM funciona enviando uma carga através da coluna apropriada (CAS) para ativar o transistor de cada bit na coluna. Ao gravar, as linhas contêm o estado que o capacitor deve assumir. Ao ler, um amplificador de sinal, determina o nível de carga no capacitor. Se for maior que 50%, ele o lê como um 1, caso contrário, ele o lê como um 0. Um contador guarda a seqüência de refrescamento baseado na ordem na qual as linhas foram acessadas. A duração de tempo necessária para fazer tudo isso é tão curta que é expressada em nanosegundos (bilionésimos de um segundo). Um chip de memória de 70 ns leva 70 nanosegundos para ler e recarregar completamente cada célula.

As células de memória sozinhas seriam inúteis se não houvesse alguma maneira de obter e inserir informações nelas. As células de memória têm uma estrutura inteira de apoio composto por outros circuitos especializados. Esses circuitos realizam funções como:

  • identificar cada linha e coluna (selecionar o endereço da linha e selecionar o endereço da coluna);
  • manter atualizada a seqüência de refrescamento (contador);
  • ler e rearmazenar o sinal de uma célula (amplificador de sinal);
  • dizer a uma célula se deve levar uma carga ou não (habilitador de gravação);

Outras funções do controlador de memória abrangem uma série de tarefas como identificação do tipo, velocidade e quantidade de memória e a verificação de erros.





Introdução

6 07 2008

A memória RAM (Random Access Memory) é a forma mais conhecida de memória de computador. A memória RAM é considerada de “acesso aleatório” porque é possível acessar diretamente qualquer célula da memória se você conhece a linha e a coluna que cruzam essa célula.

selo quiz­

O oposto da memória RAM é a memória de acesso serial (SAM). A memória SAM armazena dados como uma série de células de memória que podem somente ser acessadas seqüencialmente (como uma fita cassete). Se o dado não está na localização atual, cada célula da memória é verificada até que os dados necessários sejam encontrados. A memória SAM funciona muito bem para buffers de memória, onde os dados são normalmente armazenados na ordem em que serão usados (um bom exemplo é a memória buffer de textura em uma placa de vídeo). Os dados RAM, por outro lado, podem ser acessados em qualquer ordem.

Neste artigo, você vai aprender tudo sobre o que é a memória RAM, que tipo deve comprar e como instalá-la.

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Mais memória!


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5 07 2008

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